Nejrychlejší polovodič

připravili ve Weizmannově ústavu v Izraeli. Strukturu skládající se z vrstev GaAs a AlGaAs ochladili na desetinu kelvinu a umístili do slabého elektrického pole. Elektrony v této struktuře se pohybovaly o 40 % rychleji než v dosud nejlepších připravených materiálech z galiumarzenidu. Průměrná střední volná dráha elektronu mezi srážkami dosahovala neuvěřitelných 120 m. Objevily se i známky velké záporné magnetorezistence, (V. Umansky et al., Applied Physics Letters, 4 August.)