Odpadní teplo v mikroelektronice
| 8. 7. 2024„Je vám příliš horko, tak si oblékněte tričko“; takovou radu bychom rovnou zamítli. V případě extrémní mikroelektroniky, kde rozměry udáváme v nanometrech či dokonce zlomcích nanometrů, odvod tepla představuje závažný problém. Teoretici předpověděli, že za jistých okolností – když rozměry obou těles a jejich vzdálenost jsou menší než tzv. dominantní radiační délka – lze značně překročit omezení, které je pro přenos tepla sálavým vyzařováním mezi dvěma makroskopickými tělesy dáno Planckovým vyzařovacím zákonem. Nyní se podařilo tento jev potvrdit experimentálně. Dvě křemíkové mikrodestičky, teplou a studenou, které od sebe oddělovala vakuová mezera šířky 10,7 mikrometru, pokryli vrstvou SiO2 tenkou jen několik desítek nanometrů. Zjistili, že přenos tepla sálavým vyzařováním se zdvojnásobil. Autoři věří, že tento jev bude mít široké využití v mikroelektronice a polovodičích.
Saeko Tachikawa et al.: Phys. Rev. Lett., 2024, DOI: 10.1103/PhysRevLett.132.186904
Ke stažení
článek ve formátu pdf [663,83 kB]
O autorovi
Ivan Boháček
![Boháček Ivan](/thumb/images/autori/b/s_ib.jpg?w=150&h=150&ip=5)